参考まで
部品番号 | BSO119N03S |
LIXINC Part # | BSO119N03S |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BSO119N03S PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | BSO119N03S |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | OptiMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 11.9mOhm @ 11A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 25µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 13 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1730 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.56W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-DSO-8 |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
FDD6N50FTM | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK | 35898 注文の詳細 |
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IXTT2N170D2 | MOSFET N-CH 1700V 2A TO268 | 806 注文の詳細 |
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IPU80R1K4P7AKMA1 | MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3 | 2297 注文の詳細 |
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IPS65R1K0CEAKMA2 | MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3 | 866 注文の詳細 |
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IXTT110N10P | MOSFET N-CH 100V 110A TO268 | 836 注文の詳細 |
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FDS6900S | N-CHANNEL POWER MOSFET | 297740 注文の詳細 |
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STLD125N4F6AG | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT | 1704 注文の詳細 |
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CSD19534KCS | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | 1561 注文の詳細 |
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DMPH4015SSSQ-13 | MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO | 948 注文の詳細 |
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PSMN3R8-100BS,118 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | 7122 注文の詳細 |
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DMP3013SFK-13 | MOSFET P-CH 30V 10.5A 6UDFN | 897 注文の詳細 |
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NTD4858NAT4G | MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK | 57830 注文の詳細 |
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STP10N60M2 | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220 | 1153 注文の詳細 |
在庫あり | 10945 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.31000 | $0.31 |
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