参考まで
部品番号 | IPD80N06S3-09 |
LIXINC Part # | IPD80N06S3-09 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPD80N06S3-09 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | IPD80N06S3-09 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | OptiMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 55 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 80A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 8.4mOhm @ 40A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 55µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 88 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6.1 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 107W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO252-3 |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IRFR220TRPBF | MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK | 1398 注文の詳細 |
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FCP380N60 | MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3 | 3981 注文の詳細 |
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TSM042N03CS RLG | MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP | 3392 注文の詳細 |
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PSMN8R5-40MLDX | MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33 | 5351 注文の詳細 |
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IPB600N25N3GATMA1 | MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK | 1205 注文の詳細 |
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DKI03038 | MOSFET N-CH 30V 48A TO252 | 916 注文の詳細 |
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AOWF160A60 | MOSFET N-CH 600V 24A TO262F | 1940 注文の詳細 |
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FDB86563-F085 | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK | 929 注文の詳細 |
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FDMS7678 | MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN | 3042 注文の詳細 |
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IPW60R190C6FKSA1 | IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANN | 1945 注文の詳細 |
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DMP2067LVT-7 | MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26 | 12916 注文の詳細 |
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MTW8N50E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 20589 注文の詳細 |
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2SJ545-E | P-CHANNEL POWER MOSFET | 950 注文の詳細 |
在庫あり | 18002 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.48000 | $0.48 |
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