参考まで
部品番号 | FDI038AN06A0 |
LIXINC Part # | FDI038AN06A0 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDI038AN06A0 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | FDI038AN06A0 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 17A (Ta), 80A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 6V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.8mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 124 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6.4 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 310W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I2PAK (TO-262) |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
NIMD6302R2 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 8283 注文の詳細 |
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RQ6L035ATTCR | PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ | 906 注文の詳細 |
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NTD5865N-1G | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK | 10455 注文の詳細 |
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AOTF7T60PL | MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F | 1684 注文の詳細 |
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CSD18502Q5BT | MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON | 1439 注文の詳細 |
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IRF3610STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK | 989 注文の詳細 |
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AON2408 | MOSFET N CH 20V 8A DFN 2x2B | 915 注文の詳細 |
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STD1NK60T4 | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK | 2827 注文の詳細 |
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IXTA3N50D2-TRL | MOSFET N-CH 500V 3A TO263 | 825 注文の詳細 |
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IRF7458PBF | MOSFET N-CH 30V 14A 8SO | 810 注文の詳細 |
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AUIRLR3636 | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | 4934 注文の詳細 |
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SI7328DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 | 988 注文の詳細 |
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SIR403EDP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 | 876 注文の詳細 |
在庫あり | 22360 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.72000 | $2.72 |
800 | $2.64514 | $2116.112 |
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