参考まで
部品番号 | IRF3610STRLPBF |
LIXINC Part # | IRF3610STRLPBF |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF3610STRLPBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF3610STRLPBF |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 103A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 11.6mOhm @ 62A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 150 nC @ 10 V |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 5380 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D2PAK |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
AON2408 | MOSFET N CH 20V 8A DFN 2x2B | 819 注文の詳細 |
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STD1NK60T4 | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK | 2851 注文の詳細 |
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IXTA3N50D2-TRL | MOSFET N-CH 500V 3A TO263 | 860 注文の詳細 |
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IRF7458PBF | MOSFET N-CH 30V 14A 8SO | 849 注文の詳細 |
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AUIRLR3636 | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | 4885 注文の詳細 |
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SI7328DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 | 965 注文の詳細 |
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SIR403EDP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 | 996 注文の詳細 |
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MCAC50N10Y-TP | MOSFET N-CH 100V 50A DFN5060 | 30935 注文の詳細 |
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AOTF7S65 | MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3F | 983 注文の詳細 |
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BUK7230-55A/C1118 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15904 注文の詳細 |
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2N6806 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P | 912 注文の詳細 |
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IRFH8325TRPBF | MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN | 4914 注文の詳細 |
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UPA2709AGR-E1-AT | MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP | 5976 注文の詳細 |
在庫あり | 10843 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.74240 | $1.7424 |
800 | $1.65000 | $1320 |
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