参考まで
部品番号 | IRF7458PBF |
LIXINC Part # | IRF7458PBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 14A 8SO |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF7458PBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF7458PBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 14A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V, 16V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 8mOhm @ 14A, 16V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 59 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.41 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
AUIRLR3636 | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | 4837 注文の詳細 |
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SI7328DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 | 970 注文の詳細 |
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SIR403EDP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 | 998 注文の詳細 |
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MCAC50N10Y-TP | MOSFET N-CH 100V 50A DFN5060 | 30961 注文の詳細 |
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AOTF7S65 | MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3F | 809 注文の詳細 |
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BUK7230-55A/C1118 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15841 注文の詳細 |
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2N6806 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P | 873 注文の詳細 |
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IRFH8325TRPBF | MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN | 4862 注文の詳細 |
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UPA2709AGR-E1-AT | MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP | 5817 注文の詳細 |
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BUK9Y41-80E,115 | MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56 | 807 注文の詳細 |
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IPAW60R600CEXKSA1 | MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220 | 1267 注文の詳細 |
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MTP5N40E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 8346 注文の詳細 |
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TBB1010KMTL-H | RF N-CHANNEL MOSFET | 48872 注文の詳細 |
在庫あり | 10990 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53000 | $0.53 |
3800 | $0.53000 | $2014 |
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