参考まで
部品番号 | FDFS2P102A |
LIXINC Part # | FDFS2P102A |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDFS2P102A PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDFS2P102A |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.3A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 125mOhm @ 3.3A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 3 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 182 pF @ 10 V |
フェチ機能: | Schottky Diode (Isolated) |
消費電力 (最大): | 900mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SOIC |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
IRFR120NTRRPBF | MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK | 969 注文の詳細 |
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IPB60R299CP | N-CHANNEL POWER MOSFET | 886 注文の詳細 |
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SIHF540S-GE3 | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK | 912 注文の詳細 |
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FDS6673BZ-F085 | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC | 955 注文の詳細 |
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IPP100N04S2L03AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | 13810 注文の詳細 |
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FDP33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3 | 2035 注文の詳細 |
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SI2300-TP | MOSFET N-CH 20V 4.5A SOT23 | 4890 注文の詳細 |
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STW56N65M2-4 | MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L | 805 注文の詳細 |
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TBB1004DMTL-H | RF N-CHANNEL MOSFET | 42970 注文の詳細 |
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IRFR1N60APBF-BE3 | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK | 3812 注文の詳細 |
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AUIRFS3607TRL | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | 9782 注文の詳細 |
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SI3430DV-T1-BE3 | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP | 3884 注文の詳細 |
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SI2301CDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | 839 注文の詳細 |
在庫あり | 194683 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.00000 | $1 |
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