参考まで
部品番号 | JANS1N5617US |
LIXINC Part # | JANS1N5617US |
メーカー | Roving Networks / Microchip Technology |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
説明 | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | JANS1N5617US PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | JANS1N5617US |
ブランド: | Roving Networks / Microchip Technology |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
メーカー: | Roving Networks / Microchip Technology |
シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/427 |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Discontinued at Digi-Key |
ダイオードタイプ: | Standard |
電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 400 V |
電流 - 平均整流 (io): | 1A |
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.6 V @ 3 A |
スピード: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
逆回復時間 (trr): | 150 ns |
電流 - 逆漏れ @ vr: | 500 µA @ 400 V |
静電容量 @ vr, f: | 35pF @ 12V, 1MHz |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | SQ-MELF, A |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-5A |
動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 200°C |
BAS82-GS08 | DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD80 | 4683 注文の詳細 |
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SR304HR0G | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD | 946 注文の詳細 |
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BAS70-05235 | NOW NEXPERIA BAS70-05 - RECTIFIE | 27884 注文の詳細 |
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U1D-M3/5AT | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | 934 注文の詳細 |
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US1D-TP | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | 29895 注文の詳細 |
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V35DM120HM3/I | DIODE SCHOTTKY 120V 6.3A TO263AC | 889 注文の詳細 |
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BYS11-90-M3/TR3 | DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC | 854 注文の詳細 |
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RMPG06D-E3/53 | DIODE GPP 1A 200V 150NS MPG06 | 889 注文の詳細 |
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1N4150UR-1 | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA | 993 注文の詳細 |
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AU02ZV1 | DIODE GEN PURP 200V 800MA AXIAL | 7784 注文の詳細 |
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VS-10WQ045FN-M3 | DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK | 4952 注文の詳細 |
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S1PBHM3/84A | DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | 821 注文の詳細 |
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1N4936-E3/53 | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL | 805 注文の詳細 |
在庫あり | 10879 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $107.99000 | $107.99 |
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