参考まで
| 部品番号 | UJ3D06512TS |
| LIXINC Part # | UJ3D06512TS |
| メーカー | UnitedSiC |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | 650V 12A SIC SCHOTTKY DIODE G3, |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | UJ3D06512TS PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | UJ3D06512TS |
| ブランド: | UnitedSiC |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | UnitedSiC |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 650 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 12A (DC) |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.7 V @ 12 A |
| スピード: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 0 ns |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 80 µA @ 650 V |
| 静電容量 @ vr, f: | 392pF @ 1V, 1MHz |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | TO-220-2 |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-2 |
| 動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 175°C |
 |
VS-80APF10-M3 | DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC | 855 注文の詳細 |
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31GF4-E3/73 | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | 934 注文の詳細 |
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ST1K | DIODE STD SMA 800V 1A | 8490 注文の詳細 |
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SDURF1560 | DIODE GEN PURP 600V 15A ITO220AC | 941 注文の詳細 |
 |
1N4448W-E3-08 | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 | 10428 注文の詳細 |
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HS1DL RQG | DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA | 958 注文の詳細 |
 |
GROMA | 1.5A -1000V - SMA (DO-214AC) - R | 1168 注文の詳細 |
 |
RB511SM-30FHT2R | RB511SM-30FH IS THE HIGH RELIABI | 949 注文の詳細 |
 |
NTE573-2 | R-SCHOTTKY BARRIER 200V5A | 3975 注文の詳細 |
 |
NUR460/L02,112 | RECTIFIER DIODE | 9941 注文の詳細 |
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RS1BL RVG | DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA | 13139 注文の詳細 |
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L217 | SCHOTTKY SMA 40V 3A | 920 注文の詳細 |
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IDH08G65C5XKSA2 | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2-1 | 875 注文の詳細 |
| 在庫あり | 13660 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $5.25000 | $5.25 |
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