参考まで
| 部品番号 | 1N5416US |
| LIXINC Part # | 1N5416US |
| メーカー | Roving Networks / Microchip Technology |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | DIODE GEN PURP 100V 3A D5B |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | 1N5416US PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | 1N5416US |
| ブランド: | Roving Networks / Microchip Technology |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | Roving Networks / Microchip Technology |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 100 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 3A |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.5 V @ 9 A |
| スピード: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 150 ns |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 1 µA @ 100 V |
| 静電容量 @ vr, f: | - |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | E-MELF |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | D-5B |
| 動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 175°C |
 |
NTE518 | R-SI 10KV 25MA | 1098 注文の詳細 |
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S3M-Q-CT | CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO | 48921 注文の詳細 |
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1N4447TR | SMALL SIGNAL DIODE | 29937 注文の詳細 |
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VS-SD823C20S20C | DIODE GEN PURP 2KV 810A B-43 | 912 注文の詳細 |
 |
NTE5928 | R-800PRV 20A CATH CASE | 848 注文の詳細 |
 |
V30100S-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB | 5991 注文の詳細 |
 |
BAT720/DG/B2,215 | RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY | 183985 注文の詳細 |
 |
IDV30E65D2XKSA1 | DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2 | 1786 注文の詳細 |
 |
NTE620 | D-400V .5AMP SURFACE MNT | 1564 注文の詳細 |
 |
VS-10TQ035STRL-M3 | DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK | 977 注文の詳細 |
 |
NXPSC206506Q | DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC | 3810 注文の詳細 |
 |
SMBD1086LT1 | SS SOT23 SWCH DIO SPCL | 216834 注文の詳細 |
 |
S2MSMA-AQ | DIODE STD SMA 1000V 2A | 887 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11083 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $12.31000 | $12.31 |
| 10 | $11.19264 | $111.9264 |
| 100 | $9.51375 | $951.375 |
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