参考まで
| 部品番号 | RS1BL RQG |
| LIXINC Part # | RS1BL RQG |
| メーカー | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | RS1BL RQG PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | RS1BL RQG |
| ブランド: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 100 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 800mA |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.3 V @ 800 mA |
| スピード: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 150 ns |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 5 µA @ 100 V |
| 静電容量 @ vr, f: | 10pF @ 4V, 1MHz |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | DO-219AB |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | Sub SMA |
| 動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 150°C |
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MURA220T3G | DIODE GEN PURP 200V 2A SMA | 2889 注文の詳細 |
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TSPB15U50S S1G | DIODE SCHOTTKY 50V 15A SMPC4.0 | 3611 注文の詳細 |
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D8020LTP | DIODE GEN PURP 800V 12.7A TO220 | 1233 注文の詳細 |
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LS4448 | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80C | 15896 注文の詳細 |
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SE10PJHM3/84A | DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA | 824 注文の詳細 |
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RBR5L60ATE25 | DIODE SCHOTTKY 60V 5A PMDS | 996 注文の詳細 |
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US1B-E3/61T | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | 8385 注文の詳細 |
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RGL34A | DIODE FR DO-213AA 50V 0.5A | 95856 注文の詳細 |
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SBRT20U60SP5-13D | DIODE SBR 60V 20A POWERDI5 | 801 注文の詳細 |
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BAS321,135 | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | 829 注文の詳細 |
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VS-HFA16TB120S-M3 | DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK | 893 注文の詳細 |
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RS2GFS M3G | 150NS, 2A, 400V, FAST RECOVERY R | 7952 注文の詳細 |
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VS-10ETF12S-M3 | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK | 889 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10849 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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| 20000 | $0.05386 | $1077.2 |
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