VS-20ETF12S-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-20ETF12S-M3

VS-20ETF12S-M3

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部品番号	VS-20ETF12S-M3
LIXINC Part #	VS-20ETF12S-M3
メーカー	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	VS-20ETF12S-M3 PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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VS-20ETF12S-M3 仕様

部品番号:	VS-20ETF12S-M3
ブランド:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	1200 V
電流 - 平均整流 (io):	20A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	1.31 V @ 20 A
スピード:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):	400 ns
電流 - 逆漏れ @ vr:	100 µA @ 1200 V
静電容量 @ vr, f:	-
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ:	D2PAK
動作温度 - ジャンクション:	-40°C ~ 150°C

RGF1J-E3/67A	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA	857 注文の詳細
MURS320-13-F	DIODE GEN PURP 200V 3A SMC	10863 注文の詳細
S3M M6G	DIODE GEN PURP 3A DO214AB	925 注文の詳細
STPS340UY	DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMB	2700 注文の詳細
FMKA140	RECTIFIER DIODE	89402 注文の詳細
RB751CS-40FHT2RA	SCHOTTKY BARRIER DIODES (CORRESP	7699 注文の詳細
S12JC V7G	DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB	826 注文の詳細
VS-8ETU04-1-M3	DIODE GEN PURP 400V 8A TO262AA	1982 注文の詳細
R1800	DIODE GEN PURP 1800V 1A DO41	851 注文の詳細
S5GHE3_A/I	DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB	834 注文の詳細
S3M-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	196117 注文の詳細
VBT4045BP-M3/4W	DIODE SCHOTTKY 40A 45V TO-263AB	894 注文の詳細
MURS115T3	RECTIFIER DIODE	10869 注文の詳細