参考まで
| 部品番号 | 1N5393-E3/73 |
| LIXINC Part # | 1N5393-E3/73 |
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AL |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | 1N5393-E3/73 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 21 - Oct 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | 1N5393-E3/73 |
| ブランド: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Box (TB) |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 200 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 1.5A |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.4 V @ 1.5 A |
| スピード: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 2 µs |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 5 µA @ 200 V |
| 静電容量 @ vr, f: | 15pF @ 4V, 1MHz |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | DO-204AL (DO-41) |
| 動作温度 - ジャンクション: | -50°C ~ 150°C |
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SFA808G C0G | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | 1081 注文の詳細 |
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1N647UR-1 | DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213 | 896 注文の詳細 |
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SDURF1030 | DIODE GEN PURP 300V ITO220AC | 1895 注文の詳細 |
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1N4148W-E3-18 | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 | 933 注文の詳細 |
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1N4005-E3/73 | DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL | 16650 注文の詳細 |
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IDL12G65C5XUMA2 | DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4 | 2759 注文の詳細 |
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RFN2LAM6STR | DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM | 6100 注文の詳細 |
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S1G R3G | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | 1235 注文の詳細 |
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HS3AB M4G | DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA | 821 注文の詳細 |
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SS16LHM2G | DIODE SCHOTTKY 60V 1A SUB SMA | 892 注文の詳細 |
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RB530CM-30T2R | SCHOTTKY BARRIER DIODES. RB530C | 4613 注文の詳細 |
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US1KHE3_A/H | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | 8177 注文の詳細 |
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RF101LAM2STFTR | RF101LAM2STF IS THE HIGH RELIABI | 2992 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10857 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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