参考まで
部品番号 | NHPM120T3G |
LIXINC Part # | NHPM120T3G |
メーカー | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
説明 | DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NHPM120T3G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 21 - Oct 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NHPM120T3G |
ブランド: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
メーカー: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
ダイオードタイプ: | Standard |
電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 200 V |
電流 - 平均整流 (io): | 1A |
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1 V @ 1 A |
スピード: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
逆回復時間 (trr): | 25 ns |
電流 - 逆漏れ @ vr: | 500 nA @ 200 V |
静電容量 @ vr, f: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | DO-216AA |
サプライヤー デバイス パッケージ: | Powermite |
動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 175°C |
S16DSD2-CT | CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO | 980 注文の詳細 |
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FFSH5065A | 650V 50A SIC SBD | 1244 注文の詳細 |
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UF5408-E3/54 | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD | 955 注文の詳細 |
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ESH3B V6G | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | 824 注文の詳細 |
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BYT62-TAP | DIODE AVALANCH 2.4KV 350MA SOD57 | 60765 注文の詳細 |
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1N4006E-E3/54 | DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL | 11828 注文の詳細 |
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SR110HA0G | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204AL | 841 注文の詳細 |
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BAS2103WE6433HTMA1 | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | 976 注文の詳細 |
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RS2JHE3_A/I | DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA | 920 注文の詳細 |
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MUR320SHR7G | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | 986 注文の詳細 |
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SS16 R3G | DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC | 5874 注文の詳細 |
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SL510-TP | DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO214AB | 838 注文の詳細 |
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HS1J M2G | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | 899 注文の詳細 |
在庫あり | 12858 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.37000 | $0.37 |
12000 | $0.09150 | $1098 |
24000 | $0.08392 | $2014.08 |
60000 | $0.08077 | $4846.2 |
120000 | $0.07761 | $9313.2 |
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