V20120S-M3/4W | Vishay General Semiconductor – Diodes Division V20120S-M3/4W

V20120S-M3/4W

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部品番号	V20120S-M3/4W
LIXINC Part #	V20120S-M3/4W
メーカー	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	V20120S-M3/4W PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 21 - Oct 25 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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V20120S-M3/4W 仕様

部品番号:	V20120S-M3/4W
ブランド:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
シリーズ:	Automotive, AEC-Q101
パッケージ:	Tube
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Schottky
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	120 V
電流 - 平均整流 (io):	20A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	1.33 V @ 20 A
スピード:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):	-
電流 - 逆漏れ @ vr:	250 µA @ 120 V
静電容量 @ vr, f:	-
取付タイプ:	Through Hole
パッケージ・ケース:	TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ:	TO-220AB
動作温度 - ジャンクション:	-40°C ~ 150°C

RMPG06J-E3/73	DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06	910 注文の詳細
S3JB-13-F	DIODE GEN PURP 600V 3A SMB	17107 注文の詳細
STPSC10H065D	DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC	1763 注文の詳細
RS3BHE3_A/I	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	839 注文の詳細
SS2H10HE3_A/H	DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA	1141 注文の詳細
STTH1R04AY	DIODE GEN PURP 400V 1A SMA	8429 注文の詳細
P2000A-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	932 注文の詳細
AL01V1	DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL	9742 注文の詳細
MBRD360RLG	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER, 60 V	47617 注文の詳細
RBR2MM60BTR	DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDU	952 注文の詳細
USL1J	DIODE UFR SOD-123FL 600V 1A	802 注文の詳細
BA159G R1G	DIODE GEN PURP 1A DO204AL	983 注文の詳細
RBR1MM30ATFTR	DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VR 1A-	1419 注文の詳細