JAN1N5416US | Roving Networks / Microchip Technology JAN1N5416US

JAN1N5416US

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部品番号	JAN1N5416US
LIXINC Part #	JAN1N5416US
メーカー	Roving Networks / Microchip Technology
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	JAN1N5416US PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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JAN1N5416US 仕様

部品番号:	JAN1N5416US
ブランド:	Roving Networks / Microchip Technology
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Roving Networks / Microchip Technology
シリーズ:	Military, MIL-PRF-19500/411
パッケージ:	Bulk
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	100 V
電流 - 平均整流 (io):	3A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	1.5 V @ 9 A
スピード:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):	150 ns
電流 - 逆漏れ @ vr:	1 µA @ 100 V
静電容量 @ vr, f:	-
取付タイプ:	Through Hole
パッケージ・ケース:	B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ:	-
動作温度 - ジャンクション:	-65°C ~ 175°C

GP2D020A120B	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2	921 注文の詳細
MURS160/2	DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA	973 注文の詳細
RS3GHR7G	DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB	993 注文の詳細
CD214B-R250	DIODE GEN PURP 50V 2A SMB	958 注文の詳細
MBRD350G	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER, 50 V	5235 注文の詳細
RS1K-E3/5AT	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	6170 注文の詳細
BYM13-20-E3/96	DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB	1809 注文の詳細
ER1A-LTP	DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AA	962 注文の詳細
GP10Y-E3/54	DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO204AL	3946 注文の詳細
RS1MDFQ-13	DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT	10773 注文の詳細
VS-ETH1506S-M3	DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK	1633 注文の詳細
1N4148WS-G3-18	DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323	2774 注文の詳細
SFS1604G MNG	DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB	820 注文の詳細