JAN1N5419 | Roving Networks / Microchip Technology JAN1N5419

JAN1N5419

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部品番号	JAN1N5419
LIXINC Part #	JAN1N5419
メーカー	Roving Networks / Microchip Technology
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	JAN1N5419 PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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JAN1N5419 仕様

部品番号:	JAN1N5419
ブランド:	Roving Networks / Microchip Technology
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Roving Networks / Microchip Technology
シリーズ:	Military, MIL-PRF-19500/411
パッケージ:	Bulk
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	500 V
電流 - 平均整流 (io):	3A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	1.5 V @ 9 A
スピード:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):	250 ns
電流 - 逆漏れ @ vr:	1 µA @ 500 V
静電容量 @ vr, f:	-
取付タイプ:	Through Hole
パッケージ・ケース:	B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ:	-
動作温度 - ジャンクション:	-65°C ~ 175°C

S1GLSHRVG	DIODE, 1.2A, 400V, AEC-Q101, SOD	925 注文の詳細
BAT54T-7-F	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523	56900 注文の詳細
R5010615XXWA	RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-	968 注文の詳細
RFN10NS6SFHTL	FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND	1552 注文の詳細
RS1KL RQG	DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA	879 注文の詳細
FR201G R0G	DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC	884 注文の詳細
JANTX1N4247	DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL	865 注文の詳細
V2FM12-M3/I	2A,120V,SMF,TRENCH SKY RECT.	835 注文の詳細
ER2ETR	DIODE GEN PURP 300V 2A SMB	966 注文の詳細
JAN1N3957	DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL	814 注文の詳細
1N4004G A0G	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL	826 注文の詳細
BYG10M-M3/TR	DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A	924 注文の詳細
S5A-M3/57T	DIODE GPP 5A 50V DO-214AB	930 注文の詳細