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部品番号 | VS-8EWS08STR-M3 |
LIXINC Part # | VS-8EWS08STR-M3 |
メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
説明 | DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | VS-8EWS08STR-M3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | VS-8EWS08STR-M3 |
ブランド: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
メーカー: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
ダイオードタイプ: | Standard |
電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 800 V |
電流 - 平均整流 (io): | 8A |
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.1 V @ 8 A |
スピード: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
逆回復時間 (trr): | - |
電流 - 逆漏れ @ vr: | 50 µA @ 800 V |
静電容量 @ vr, f: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-PAK (TO-252AA) |
動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 150°C |
1F2TA | DIODE GEN PURP 100V 1A R-1 | 948 注文の詳細 |
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RB168LAM-30TFTR | AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD | 2882 注文の詳細 |
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STTH1210D | DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC | 1487 注文の詳細 |
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D911SH45T | DIODE GEN PURP 4.5KV 1140A | 999 注文の詳細 |
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BAV116HWF-7 | DIODE SW 130V 215MA SOD123F | 105907 注文の詳細 |
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ZHCS750TA | DIODE SCHOTTKY 40V 750MA SOT23-3 | 3826 注文の詳細 |
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RB510SM-30FHT2R | RB510SM-30FH IS THE HIGH RELIABI | 937 注文の詳細 |
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MBRD5100-TP | 5A,100V,SCHOTTKY,DPAK PACKAGE | 896 注文の詳細 |
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120NQ035-1 | DIODE SCHOTTKY 35V 120A PRM1-1 | 942 注文の詳細 |
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RSFBL RVG | DIODE GEN PURP 100V 500MA SUBSMA | 5250 注文の詳細 |
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USL1M | DIODE UFR SOD-123FL 1000V 1A | 907 注文の詳細 |
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MUR1540G | DIODE GEN PURP 400V 15A TO220-2 | 5733 注文の詳細 |
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RS1BHM2G | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | 856 注文の詳細 |
在庫あり | 11684 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.12000 | $3.12 |
2000 | $1.62892 | $3257.84 |
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