1SS307E,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 1SS307E,L3F

1SS307E,L3F

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部品番号	1SS307E,L3F
LIXINC Part #	1SS307E,L3F
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	1SS307E,L3F PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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1SS307E,L3F 仕様

部品番号:	1SS307E,L3F
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	80 V
電流 - 平均整流 (io):	100mA
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	1.3 V @ 100 mA
スピード:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間 (trr):	-
電流 - 逆漏れ @ vr:	10 nA @ 80 V
静電容量 @ vr, f:	6pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	SC-79, SOD-523
サプライヤーデバイスパッケージ:	SC-79
動作温度 - ジャンクション:	150°C (Max)

VS-SD803C10S10C	DIODE GEN PURP 1KV 845A B-43	843 注文の詳細
SF1DDF-13	SUPERFAST RECOVERY RECTIFIER D-F	932 注文の詳細
10BQ015TR	1A, 15V, SMB, SCHOTTKY RECTIFIER	12947 注文の詳細
1N4448X-TP	DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523	853 注文の詳細
CDBF0140R-HF	DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 1005	945 注文の詳細
JAN1N4150-1	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35	814 注文の詳細
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HS2M M4G	DIODE GEN PURP 2A DO214AA	918 注文の詳細
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GR2M-F1-0000HF	DIODE GEN PURP 1000V 2A DO214AA	966 注文の詳細
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S3J R7G	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB	958 注文の詳細