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| 部品番号 | NXPSC126506Q |
| LIXINC Part # | NXPSC126506Q |
| メーカー | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | SILICON CARBIDE POWER DIODE |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | NXPSC126506Q PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | NXPSC126506Q |
| ブランド: | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 650 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 12A |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.7 V @ 12 A |
| スピード: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 0 ns |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 80 µA @ 650 V |
| 静電容量 @ vr, f: | 380pF @ 1V, 1MHz |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | TO-220-2 |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AC |
| 動作温度 - ジャンクション: | 175°C (Max) |
 |
MBRD560TR | DIODE SCHOTTKY 60V 5A DPAK | 1896 注文の詳細 |
 |
STTH1R04A | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | 11422 注文の詳細 |
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LL4148-T | DIODE GEN PURP 100V 200MA LL34 | 972 注文の詳細 |
 |
1N34A | D-GE- 75PRV .005A | 3310 注文の詳細 |
 |
RGF1JHE3/5CA | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA | 858 注文の詳細 |
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NTE156 | RECT-SI 1000V 2A DO-15 | 18369 注文の詳細 |
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MPG06J-E3/54 | DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06 | 5434 注文の詳細 |
 |
UES1103SM | DIODE GEN PURP 150V 2.5A A-MELF | 862 注文の詳細 |
 |
MUR820 | RECTIFIER DIODE | 877 注文の詳細 |
 |
SF32G A0G | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD | 952 注文の詳細 |
 |
STPS2L60AFN | 60 V, 2 A LOW DROP POWER SCHOTTK | 10439 注文の詳細 |
 |
GF1J-E3/67A | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA | 1282 注文の詳細 |
 |
ES1J | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | 126746 注文の詳細 |
| 在庫あり | 13977 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $6.12000 | $6.12 |
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