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| 部品番号 | NXPSC04650X6Q |
| LIXINC Part # | NXPSC04650X6Q |
| メーカー | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220F |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | NXPSC04650X6Q PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | NXPSC04650X6Q |
| ブランド: | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 650 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 4A |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.7 V @ 4 A |
| スピード: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 0 ns |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 170 µA @ 650 V |
| 静電容量 @ vr, f: | 130pF @ 1V, 1MHz |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220F |
| 動作温度 - ジャンクション: | 175°C (Max) |
 |
VS-T40HFL100S05 | DIODE GEN PURP 1KV 40A D-55 | 904 注文の詳細 |
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NTE120 | DIODE GEN PURP 10V 65MA 7SIP | 1911 注文の詳細 |
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DLA11C-TR-E | DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD | 6960 注文の詳細 |
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VS-1N1183 | DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB | 937 注文の詳細 |
 |
DSB20I15PA | DIODE SCHOTTKY 15V 20A TO220AC | 899 注文の詳細 |
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NRVTS12100MFST1G | DIODE SCHOTTKY 100V 12A 5DFN | 923 注文の詳細 |
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JANTX1N3957 | DIODE GEN PURP 1KV 1A | 969 注文の詳細 |
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FFSD08120A | 1200V 8A SIC SBD | 2700 注文の詳細 |
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RL1N1500F | DIODE GEN PURP 1500V 1A A405 | 965 注文の詳細 |
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SE15PD-M3/85A | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO220AA | 825 注文の詳細 |
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S2M/54 | DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214 | 952 注文の詳細 |
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S1JM RSG | DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA | 14604 注文の詳細 |
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BAT64-04WE6327 | RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY | 253582 注文の詳細 |
| 在庫あり | 13994 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.60000 | $2.6 |
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