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| 部品番号 | NTE112 |
| LIXINC Part # | NTE112 |
| メーカー | NTE Electronics, Inc. |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | D-SI UHF/MXR SCHOTTKY |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | NTE112 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | NTE112 |
| ブランド: | NTE Electronics, Inc. |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | NTE Electronics, Inc. |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bag |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Schottky |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 5 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 30mA (DC) |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 550 mV @ 10 mA |
| スピード: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 逆回復時間 (trr): | - |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 50 nA @ 1 V |
| 静電容量 @ vr, f: | 1pF @ 0V, 1MHz |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | DO-35 |
| 動作温度 - ジャンクション: | 125°C |
 |
ESJLW RVG | DIODE, SUPER FAST | 6854 注文の詳細 |
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BAS85-GS18 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80 | 6265 注文の詳細 |
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ES1A R3G | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC | 859 注文の詳細 |
 |
RS2BHE3_A/H | DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA | 989 注文の詳細 |
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BAT5402LRHE6327XTSA1 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA TSLP-2 | 5061 注文の詳細 |
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VI20120S-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA | 879 注文の詳細 |
 |
SS36-E3/9AT | DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB | 2104 注文の詳細 |
 |
S1G-E3/61T | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | 1239 注文の詳細 |
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RB521SM-60FHT2R | RB521SM-60FH IS SUPRT LOW V | 868 注文の詳細 |
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SFS1603GHMNG | DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB | 825 注文の詳細 |
 |
S2KTR | DIODE GEN PURP 800V 2A SMB | 921 注文の詳細 |
 |
SBRT3U60SAF-13 | DIODE SBR SMAF | 23191 注文の詳細 |
 |
HS1FL RQG | DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA | 922 注文の詳細 |
| 在庫あり | 16684 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.57000 | $1.57 |
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