ES3DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division ES3DHE3_A/I

ES3DHE3_A/I

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部品番号	ES3DHE3_A/I
LIXINC Part #	ES3DHE3_A/I
メーカー	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	ES3DHE3_A/I PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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ES3DHE3_A/I 仕様

部品番号:	ES3DHE3_A/I
ブランド:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
シリーズ:	Automotive, AEC-Q101
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	200 V
電流 - 平均整流 (io):	3A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	900 mV @ 3 A
スピード:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):	30 ns
電流 - 逆漏れ @ vr:	10 µA @ 200 V
静電容量 @ vr, f:	45pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ:	DO-214AB (SMC)
動作温度 - ジャンクション:	-55°C ~ 150°C

ES1LDHR3G	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC	974 注文の詳細
S5A-E3/57T	DIODE GEN PURP 50V 5A DO214AB	838 注文の詳細
RGP15G-E3/54	DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC	7634 注文の詳細
NTE626	R-SI 600V 8A 250NS	1415 注文の詳細
MURD530T4G	DIODE GEN PURP 300V 5A DPAK	4373 注文の詳細
VS-2EJH01-M3/6A	DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC	881 注文の詳細
RA258-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	914 注文の詳細
VS-20ETF10STRRPBF	DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC	916 注文の詳細
CFRA102-G	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	859 注文の詳細
NSVR0530P2T5G	RECTIFIER DIODE	870 注文の詳細
SE10DG-M3/I	DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC	1004 注文の詳細
BAV300-TR	DIODE GP 50V 250MA MICROMELF	10769 注文の詳細
JAN1N5811US	DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF	871 注文の詳細