S5JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division S5JHE3_A/H

S5JHE3_A/H

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部品番号	S5JHE3_A/H
LIXINC Part #	S5JHE3_A/H
メーカー	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	S5JHE3_A/H PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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S5JHE3_A/H 仕様

部品番号:	S5JHE3_A/H
ブランド:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	600 V
電流 - 平均整流 (io):	5A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	1.15 V @ 5 A
スピード:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):	2.5 µs
電流 - 逆漏れ @ vr:	10 µA @ 600 V
静電容量 @ vr, f:	40pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ:	DO-214AB (SMC)
動作温度 - ジャンクション:	-55°C ~ 150°C

GIB1404HE3/81	DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB	921 注文の詳細
RL251GP-TP	DIODE GEN PURP 2.5A 50V R3	864 注文の詳細
SCS308AHGC9	SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING	1881 注文の詳細
ES1DL RVG	DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA	21362 注文の詳細
BAT54W,135	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70	12420 注文の詳細
SCS310AJTLL	DIODES SILICON CARBIDE	1844 注文の詳細
PMEG100V100ELPDZ	DIODE SCHOTTKY 100V 10A CFP15	2280 注文の詳細
1N6480HE3/97	DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB	914 注文の詳細
ES1GLW RVG	DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W	13725 注文の詳細
RGP10D-E3/73	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL	12738 注文の詳細
61SPB045A	DIODE SCHOTTKY 45V 60A SPD-2A	854 注文の詳細
ES1D R3G	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC	5055 注文の詳細
SS34 V7G	DIODE SCHOTTKY 3A 40V DO-214AB	972 注文の詳細