参考まで
| 部品番号 | IDP12E120XKSA1 |
| LIXINC Part # | IDP12E120XKSA1 |
| メーカー | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO220-2 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IDP12E120XKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 23 - Oct 27 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IDP12E120XKSA1 |
| ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 1200 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 28A (DC) |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 2.15 V @ 12 A |
| スピード: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 150 ns |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 100 µA @ 1200 V |
| 静電容量 @ vr, f: | - |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | TO-220-2 |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO220-2-2 |
| 動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 150°C |
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STTH2R06UFY | DIODE GEN PURP 600V 2A SMBFLAT | 979 注文の詳細 |
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MBR130T1G | SCHOTTKY POWER RECTIFIER, SURFAC | 584685 注文の詳細 |
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S2A-M3/52T | DIODE GPP 1.5A 50V DO-214AA | 845 注文の詳細 |
 |
PMEG2010AEH,115 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123F | 72757 注文の詳細 |
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RS3AHE3_A/H | DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB | 856 注文の詳細 |
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RD1006LS-SB5 | SWITCHING JUNCTION SILICON DIODE | 3811 注文の詳細 |
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SD125SC150B.T | DIODE SCHOTTKY 150V 15A DIE | 1040 注文の詳細 |
 |
SBR1U400P1-7 | DIODE SBR 400V 1A POWERDI123 | 1838 注文の詳細 |
 |
CRS11(TE85L,Q,M) | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT | 4152 注文の詳細 |
 |
NTE6365 | R-1600V 300A ANODE CASE | 949 注文の詳細 |
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EM 1AV1 | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | 941 注文の詳細 |
 |
BYT53D-TAP | DIODE AVALANCHE 200V 1.9A SOD57 | 812 注文の詳細 |
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ESH3C V7G | DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB | 992 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11199 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.33000 | $2.33 |
| 500 | $1.28066 | $640.33 |
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