SE12DB-M3/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division SE12DB-M3/I

SE12DB-M3/I

拡大する

参考まで

部品番号	SE12DB-M3/I
LIXINC Part #	SE12DB-M3/I
メーカー	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE GEN PURP 100V 3.2A TO263AC
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	SE12DB-M3/I PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Jul 02 - Jul 06 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
支払い
運送

SE12DB-M3/I 仕様

部品番号:	SE12DB-M3/I
ブランド:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
シリーズ:	Automotive, AEC-Q101, eSMP®
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	100 V
電流 - 平均整流 (io):	3.2A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	1.15 V @ 12 A
スピード:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):	3 µs
電流 - 逆漏れ @ vr:	20 µA @ 100 V
静電容量 @ vr, f:	90pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
サプライヤーデバイスパッケージ:	TO-263AC (SMPD)
動作温度 - ジャンクション:	-55°C ~ 175°C

VS-6ESU06-M3/86A	DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A	853 注文の詳細
P1000S-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	10318 注文の詳細
B0530WS RRG	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323F	816 注文の詳細
1N4149	DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35	2147484645 注文の詳細
1N4002-E3/73	DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL	14429 注文の詳細
STPS1L30AFN	30 V, 1 A LOW DROP POWER SCHOTTK	20783 注文の詳細
FFPF04F150STU	RECTIFIER DIODE	142010 注文の詳細
SF68GHA0G	DIODE GEN PURP 600V 6A DO201AD	872 注文の詳細
1N5806USE3/TR	UFR,FRR	913 注文の詳細
VS-1N1185A	DIODE GEN PURP 150V 40A DO203AB	928 注文の詳細
VS-4EVH02HM3/I	DIODE GEN PURPOSE 200V SLIMDPAK	1083 注文の詳細
GR3JB	3A -600V - SMB (DO-214AA) - RECT	1162 注文の詳細
BAT54XV2-F2-0000HF	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523	877 注文の詳細