参考まで
| 部品番号 | BYM12-300HE3_A/H |
| LIXINC Part # | BYM12-300HE3_A/H |
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | BYM12-300HE3_A/H PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 11 - Sep 15 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | BYM12-300HE3_A/H |
| ブランド: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 300 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 1A |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.25 V @ 1 A |
| スピード: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 50 ns |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 5 µA @ 300 V |
| 静電容量 @ vr, f: | 14pF @ 4V, 1MHz |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | DO-213AB, MELF (Glass) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | DO-213AB |
| 動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 175°C |
|
S85KR | DIODE GEN PURP REV 800V 85A DO5 | 837 注文の詳細 |
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VS-8ETH03-1HM3 | FREDS - TO-262 | 966 注文の詳細 |
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VS-80PF80 | DIODE GEN PURP 800V 80A DO203AB | 960 注文の詳細 |
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1N3209R | DIODE GEN PURP REV 100V 15A DO5 | 945 注文の詳細 |
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MDD810-16N2 | DIODE DUAL 1600V 807A | 833 注文の詳細 |
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EL02ZV0 | DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL | 945 注文の詳細 |
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UFT3150C | RECTIFIER | 873 注文の詳細 |
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SHV-02JV1 | IC RECT DIODE HV AXIAL | 975 注文の詳細 |
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R9G01822XX | DIODE GP 1.8KV 2200A DO200AB | 907 注文の詳細 |
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1N4507 | STANDARD RECTIFIER | 950 注文の詳細 |
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W108CED180 | RECTIFIER DIODE | 852 注文の詳細 |
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SCSM6R | DIODE GEN PURP 600V 150A | 909 注文の詳細 |
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MUR7040R | DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5 | 905 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10855 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.14152 | $0.14152 |
| 9000 | $0.14152 | $1273.68 |
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