参考まで
| 部品番号 | JAN1N3768R |
| LIXINC Part # | JAN1N3768R |
| メーカー | Roving Networks / Microchip Technology |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | JAN1N3768R PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | JAN1N3768R |
| ブランド: | Roving Networks / Microchip Technology |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | Roving Networks / Microchip Technology |
| シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/297 |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Standard, Reverse Polarity |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 1000 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 35A |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.4 V @ 110 A |
| スピード: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | - |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 10 µA @ 1000 V |
| 静電容量 @ vr, f: | - |
| 取付タイプ: | Chassis, Stud Mount |
| パッケージ・ケース: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | DO-5 |
| 動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 175°C |
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SIDC14D120H8X1SA1 | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER | 896 注文の詳細 |
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JTXV1N5550 | D MET 3A STD 200V HRV | 897 注文の詳細 |
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S6G | DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 | 942 注文の詳細 |
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1N914T/R | DIODE GEN PURP 75V 75MA DO35 | 10866 注文の詳細 |
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SD51R | DIODE SCHOTTKY REV 45V DO5 | 819 注文の詳細 |
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SBR2535 | RECTIFIER | 868 注文の詳細 |
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CS2G-E3/H | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | 889 注文の詳細 |
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RS5D-T M6G | 150NS, 5A, 200V, FAST RECOVERY R | 982 注文の詳細 |
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SFT14G A1G | DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | 800 注文の詳細 |
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R7221006HSOO | DIODE GEN PURP 1KV 650A DO200AB | 911 注文の詳細 |
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V1FM15HM3/H | 1A 150V SMF TRENCH SKY RECT | 12438 注文の詳細 |
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6A40GHA0G | DIODE GEN PURP 400V 6A R-6 | 815 注文の詳細 |
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JANTXV1N5615 | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | 829 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10951 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $55.11040 | $55.1104 |
| 100 | $55.11040 | $5511.04 |
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