参考まで
部品番号 | JANTXV1N6630US |
LIXINC Part # | JANTXV1N6630US |
メーカー | Roving Networks / Microchip Technology |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
説明 | DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | JANTXV1N6630US PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | JANTXV1N6630US |
ブランド: | Roving Networks / Microchip Technology |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
メーカー: | Roving Networks / Microchip Technology |
シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/590 |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
ダイオードタイプ: | Standard |
電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 1000 V |
電流 - 平均整流 (io): | 1.4A |
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.4 V @ 1.4 A |
スピード: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
逆回復時間 (trr): | 50 ns |
電流 - 逆漏れ @ vr: | 2 µA @ 1000 V |
静電容量 @ vr, f: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | SQ-MELF, E |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-5B |
動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 150°C |
SBR2060CTI | DIODE GEN PURP 60V 10A TO251 | 993 注文の詳細 |
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1N3880R | DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 | 926 注文の詳細 |
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DSEP29-12B | POWER DIODE DISCRETES-FRED TO-22 | 2141 注文の詳細 |
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SRT19HR0G | DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1 | 909 注文の詳細 |
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DSP45-12AZ-TUB | POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER | 1000 注文の詳細 |
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SD125SB45B.T1 | PIV 45V IO 15A CHIP SIZE 125MIL | 819 注文の詳細 |
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VS-70HFLR40S05M | DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB | 845 注文の詳細 |
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BYM07-100HE3_A/H | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | 862 注文の詳細 |
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RA203425XX | DIODE GP 3.4KV 2500A POWRDISC | 877 注文の詳細 |
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SFT11G A1G | DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 | 884 注文の詳細 |
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NRVHPRS1KFA | SR SOD123FA PN 0.8A 800V | 819 注文の詳細 |
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EM 2AV0 | DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL | 816 注文の詳細 |
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EM 1YV1 | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | 889 注文の詳細 |
在庫あり | 10801 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $21.97000 | $21.97 |
100 | $21.97000 | $2197 |
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