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部品番号 | CRG09A,LQ(M |
LIXINC Part # | CRG09A,LQ(M |
メーカー | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
説明 | DIODE GEN PURP 400V 1A SFLAT |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | CRG09A,LQ(M PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | CRG09A,LQ(M |
ブランド: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
メーカー: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
ダイオードタイプ: | Standard |
電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 400 V |
電流 - 平均整流 (io): | 1A |
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.1 V @ 700 mA |
スピード: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
逆回復時間 (trr): | - |
電流 - 逆漏れ @ vr: | 5 µA @ 400 V |
静電容量 @ vr, f: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | SOD-123F |
サプライヤー デバイス パッケージ: | S-FLAT (1.6x3.5) |
動作温度 - ジャンクション: | 150°C (Max) |
IDC40D120T6MX1SA4 | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER | 844 注文の詳細 |
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IRD3CH24DB6 | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | 800 注文の詳細 |
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ER1D-TP | DIODE 1A 200V HSMB DO214AA | 841 注文の詳細 |
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MSC080SMA120JS15 | MOSFET SIC 1200V 80 MOHM 15A SOT | 929 注文の詳細 |
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IDC08S60CEX7SA1 | DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER | 853 注文の詳細 |
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PMEG4030ER/DG/B2,1 | PMEG4030ER/DG/B2,1 | 900 注文の詳細 |
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VS-150SQ040 | DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO204AR | 946 注文の詳細 |
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RL105-AP | DIODE GEN PURP 600V 1A A-405 | 821 注文の詳細 |
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R5100210XXWA | DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA | 915 注文の詳細 |
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SIDC03D60F6X1SA2 | DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER | 940 注文の詳細 |
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RU 4M | DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL | 921 注文の詳細 |
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MSC750SMA120S | MOSFET N-CH 1200V D3PAK | 885 注文の詳細 |
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IDD12SG60CXTMA2 | DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO252-3 | 964 注文の詳細 |
在庫あり | 10858 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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