参考まで
部品番号 | NXPSC06650XQ |
LIXINC Part # | NXPSC06650XQ |
メーカー | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
説明 | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220F |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NXPSC06650XQ PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 23 - Oct 27 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NXPSC06650XQ |
ブランド: | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
メーカー: | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Discontinued at Digi-Key |
ダイオードタイプ: | Silicon Carbide Schottky |
電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 650 V |
電流 - 平均整流 (io): | 6A |
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.7 V @ 6 A |
スピード: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
逆回復時間 (trr): | 0 ns |
電流 - 逆漏れ @ vr: | 200 µA @ 650 V |
静電容量 @ vr, f: | 190pF @ 1V, 1MHz |
取付タイプ: | Through Hole |
パッケージ・ケース: | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220F |
動作温度 - ジャンクション: | 175°C (Max) |
1N6080US | DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF | 897 注文の詳細 |
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NGTD15R65F2SWK | DIODE GEN PURP 650V DIE | 915 注文の詳細 |
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CRSH2-5 TR | DIODE SCHOTTKY DO15 | 839 注文の詳細 |
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HER106S-TP | DIODE GPP HE 1A A-405 | 801 注文の詳細 |
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R9G21211ASOO | DIODE FAST REC R9G 1100A 1200V | 929 注文の詳細 |
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1N5406GTA | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | 935 注文の詳細 |
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TCF10B60 | DIODE FAST RECOVERY 600V 10A TO- | 989 注文の詳細 |
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CGRBT302-HF | DIODE GENERAL PURPOSE 2114 SMD | 976 注文の詳細 |
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SRA257-TP | DIODE | 832 注文の詳細 |
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RL105-TP | DIODE GEN PURP 600V 1A A-405 | 898 注文の詳細 |
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UF1503S-B | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO41 | 813 注文の詳細 |
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NGTD5R65F2SWK | DIODE GEN PURP 650V DIE | 5633 注文の詳細 |
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1N4002-N-2-1-BP | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 | 978 注文の詳細 |
在庫あり | 10859 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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