参考まで
| 部品番号 | JAN1N6628U |
| LIXINC Part # | JAN1N6628U |
| メーカー | Microsemi |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
| 説明 | DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | JAN1N6628U PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 26 - Oct 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | JAN1N6628U |
| ブランド: | Microsemi |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
| メーカー: | Microsemi |
| シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 600 V |
| 電流 - 平均整流 (io): | 1.75A |
| 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.35 V @ 2 A |
| スピード: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr): | 30 ns |
| 電流 - 逆漏れ @ vr: | 2 µA @ 600 V |
| 静電容量 @ vr, f: | - |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | SQ-MELF, E |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | D-5B |
| 動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 150°C |
|
RB050LA-409HETR | DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDT | 850 注文の詳細 |
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6A60GHB0G | DIODE GEN PURP 600V 6A R-6 | 850 注文の詳細 |
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R9G23212CSOO | DIODE GP 3.2KV 1200A DO200AB | 923 注文の詳細 |
|
HCR4148MTX | DIODE GEN PURP 100V 200MA 3SMD | 928 注文の詳細 |
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SIDC09D60E6 UNSAWN | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | 960 注文の詳細 |
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RB521S-30GDTE61 | DIODE SCHOTTKY SMD | 919 注文の詳細 |
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GI810-E3/73 | DIODE GEN PURPOSE DO204AC | 992 注文の詳細 |
|
1SS400LTE61 | DIODE GENERAL PURPOSE SMD | 936 注文の詳細 |
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SB05-05C-M-TB-E | DIODE SCHOTTKY 50V 0.5A CP | 864 注文の詳細 |
|
RB520S-30FSTE61 | DIODE SCHOTTKY SMD | 932 注文の詳細 |
|
1N4001-N-0-4-AP | DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | 863 注文の詳細 |
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VS-95-9971PBF | DIODE GENERAL PURPOSE TO220 | 940 注文の詳細 |
|
S5116D | DIODE | 886 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10916 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
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