RN1963(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

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部品番号	RN1963(TE85L,F)
LIXINC Part #	RN1963(TE85L,F)
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
説明	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	RN1963(TE85L,F) PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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RN1963(TE85L,F) 仕様

部品番号:	RN1963(TE85L,F)
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
トランジスタタイプ:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクター (ic) (最大):	100mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン (最大):	50V
抵抗 - ベース (r1):	22kOhms
抵抗 - エミッターベース (r2):	22kOhms
DC 電流ゲイン (hfe) (最小) @ ic、vce:	70 @ 10mA, 5V
vce 飽和 (最大) @ ib、ic:	300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタカットオフ (最大):	100nA (ICBO)
周波数 - 遷移:	250MHz
パワー - 最大:	200mW
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ:	US6

PUMD9,115	TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP	55039 注文の詳細
SMUN5230DW1T1G	TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363	3894 注文の詳細
UMH11N-TP	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363	989 注文の詳細
NSBC123JDXV6T5	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR	184734 注文の詳細
DMC264030R	TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6	950 注文の詳細
PBLS4005Y,115	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP	2845 注文の詳細
SMUN5116DW1T1G	TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363	857 注文の詳細
RN1709JE(TE85L,F)	NPN X 2 BRT, Q1BSR=47KΩ, Q1BER=2	4780 注文の詳細
RN2903FE(TE85L,F)	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	4944 注文の詳細
RN4989(T5L,F,T)	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	3760 注文の詳細
PEMB20,115	TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666	925 注文の詳細
EMG4T2R	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5	829 注文の詳細
RN4904FE,LF(CT	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6	885 注文の詳細