EMB10T2R

EMB10T2R
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部品番号 EMB10T2R
LIXINC Part # EMB10T2R
メーカー ROHM Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
説明 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル EMB10T2R PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

EMB10T2R 仕様

部品番号:EMB10T2R
ブランド:ROHM Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
メーカー:ROHM Semiconductor
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)
部品の状態:Active
トランジスタタイプ:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクター (ic) (最大):100mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大):50V
抵抗 - ベース (r1):2.2kOhms
抵抗 - エミッターベース (r2):47kOhms
DC 電流ゲイン (hfe) (最小) @ ic、vce:80 @ 10mA, 5V
vce 飽和 (最大) @ ib、ic:300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大):500nA
周波数 - 遷移:250MHz
パワー - 最大:150mW
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:SOT-563, SOT-666
サプライヤー デバイス パッケージ:EMT6

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