RN1708JE(TE85L,F)

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部品番号 RN1708JE(TE85L,F)
LIXINC Part # RN1708JE(TE85L,F)
メーカー Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
説明 NPN X 2 BRT, Q1BSR=22KΩ, Q1BER=4
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル RN1708JE(TE85L,F) PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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RN1708JE(TE85L,F) 仕様

部品番号:RN1708JE(TE85L,F)
ブランド:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
メーカー:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
トランジスタタイプ:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
電流 - コレクター (ic) (最大):100mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大):50V
抵抗 - ベース (r1):22kOhms
抵抗 - エミッターベース (r2):47kOhms
DC 電流ゲイン (hfe) (最小) @ ic、vce:80 @ 10mA, 5V
vce 飽和 (最大) @ ib、ic:300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大):500nA
周波数 - 遷移:250MHz
パワー - 最大:100mW
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:SOT-553
サプライヤー デバイス パッケージ:ESV

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