RN1965(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

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部品番号	RN1965(TE85L,F)
LIXINC Part #	RN1965(TE85L,F)
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
説明	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	RN1965(TE85L,F) PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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RN1965(TE85L,F) 仕様

部品番号:	RN1965(TE85L,F)
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
トランジスタタイプ:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクター (ic) (最大):	100mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン (最大):	50V
抵抗 - ベース (r1):	2.2kOhms
抵抗 - エミッターベース (r2):	47kOhms
DC 電流ゲイン (hfe) (最小) @ ic、vce:	80 @ 10mA, 5V
vce 飽和 (最大) @ ib、ic:	300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタカットオフ (最大):	100nA (ICBO)
周波数 - 遷移:	250MHz
パワー - 最大:	200mW
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ:	US6

DMA566060R	TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6	3860 注文の詳細
DMC9640N0R	TRANS 2NPN PREBIAS 0.125W SMINI6	5889 注文の詳細
UMD6NTR	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	1087 注文の詳細
DDA114TU-7-F	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363	5694 注文の詳細
DDA143TH-7	TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563	929 注文の詳細
RN2602(TE85L,F)	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6	3641 注文の詳細
PRMH13Z	TRANS PREBIAS 2NPN 50V DFN1412-6	2769 注文の詳細
MUN5314DW1T1	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363	279945 注文の詳細
IMD10AT108	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6	4220 注文の詳細
RN2907,LF(CT	PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH	5975 注文の詳細
NSBA144EDXV6T5	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR	8832 注文の詳細
UP04214G0L	TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6	15158 注文の詳細
DDA123JK-7-F	TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26	869 注文の詳細