RN1911,LF(CT | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1911,LF(CT

RN1911,LF(CT

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部品番号	RN1911,LF(CT
LIXINC Part #	RN1911,LF(CT
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
説明	NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	RN1911,LF(CT PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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RN1911,LF(CT 仕様

部品番号:	RN1911,LF(CT
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
トランジスタタイプ:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクター (ic) (最大):	100mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン (最大):	50V
抵抗 - ベース (r1):	10kOhms
抵抗 - エミッターベース (r2):	-
DC 電流ゲイン (hfe) (最小) @ ic、vce:	120 @ 1mA, 5V
vce 飽和 (最大) @ ib、ic:	300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタカットオフ (最大):	100nA (ICBO)
周波数 - 遷移:	250MHz
パワー - 最大:	100mW
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ:	US6

DMG563H50R	TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5	6936 注文の詳細
RN4901FE,LF(CT	PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER	7861 注文の詳細
UMG8NTR	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5	1999 注文の詳細
MUN5211DW1T1G	TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88	2147484535 注文の詳細
RN4989(TE85L,F)	NPN + PNP BRT, Q1BSR=47KΩ, Q1BER	3894 注文の詳細
DMC264000R	TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6	1006 注文の詳細
NSBA115EDXV6T1G	TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563	860 注文の詳細
NSBA123JDXV6T1	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR	172846 注文の詳細
RN2911FE(TE85L,F)	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	4929 注文の詳細
NHUMB13F	NHUMB13/SOT363/SC-88	10870 注文の詳細
NSVBC143ZDXV6T1G	TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563	100978 注文の詳細
RN4986(T5L,F,T)	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	1847 注文の詳細
NSVBC124EPDXV6T1G	SS SOT563 DUAL RSTR XSTR	969 注文の詳細