RN49A1FE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN49A1FE(TE85L,F) | RN49A1FE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

RN49A1FE(TE85L,F)

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部品番号	RN49A1FE(TE85L,F)
LIXINC Part #	RN49A1FE(TE85L,F)
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
説明	PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2KΩ, Q1BE
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	RN49A1FE(TE85L,F) PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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RN49A1FE(TE85L,F) 仕様

部品番号:	RN49A1FE(TE85L,F)
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
トランジスタタイプ:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクター (ic) (最大):	100mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン (最大):	50V
抵抗 - ベース (r1):	2.2kOhms, 22kOhms
抵抗 - エミッターベース (r2):	47kOhms
DC 電流ゲイン (hfe) (最小) @ ic、vce:	80 @ 10mA, 5V
vce 飽和 (最大) @ ib、ic:	300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタカットオフ (最大):	500nA
周波数 - 遷移:	200MHz, 250MHz
パワー - 最大:	100mW
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ:	ES6

DDC142JU-7-F	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363	972 注文の詳細
DMA564030R	TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6	6843 注文の詳細
DMC566060R	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6	6958 注文の詳細
BCR35PNH6433XTMA1	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363	981 注文の詳細
PRMD2Z	PRMD2/SOT1268/DFN1412-6	5554 注文の詳細
DMG9640T0R	TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6	8931 注文の詳細
IMB7AT108	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457	860 注文の詳細
RN2707,LF	PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH	6971 注文の詳細
NSM21156DW6T1G	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR	65960 注文の詳細
DDC114TU-7-F	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363	2225 注文の詳細
RN4909,LF(CT	PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4	6814 注文の詳細
DMA561010R	TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI5	3797 注文の詳細
RN2511(TE85L,F)	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV	3824 注文の詳細