RN2108MFV,L3F

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部品番号 RN2108MFV,L3F
LIXINC Part # RN2108MFV,L3F
メーカー Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - バイポーラ (bjt) - シングル、プリバイアス
説明 TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル RN2108MFV,L3F PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RN2108MFV,L3F 仕様

部品番号:RN2108MFV,L3F
ブランド:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - バイポーラ (bjt) - シングル、プリバイアス
メーカー:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)
部品の状態:Active
トランジスタタイプ:PNP - Pre-Biased
電流 - コレクター (ic) (最大):100 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大):50 V
抵抗 - ベース (r1):22 kOhms
抵抗 - エミッターベース (r2):47 kOhms
DC 電流ゲイン (hfe) (最小) @ ic、vce:80 @ 10mA, 5V
vce 飽和 (最大) @ ib、ic:300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大):500nA
周波数 - 遷移:-
パワー - 最大:150 mW
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:SOT-723
サプライヤー デバイス パッケージ:VESM

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