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| 部品番号 | CSD86330Q3D |
| LIXINC Part # | CSD86330Q3D |
| メーカー | Texas Instruments |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | CSD86330Q3D PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | CSD86330Q3D |
| ブランド: | Texas Instruments |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| メーカー: | Texas Instruments |
| シリーズ: | NexFET™ |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| フェチ機能: | Logic Level Gate |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 25V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 20A |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 9.6mOhm @ 14A, 8V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 2.1V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6.2nC @ 4.5V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 920pF @ 12.5V |
| パワー - 最大: | 6W |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 8-PowerLDFN |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-LSON (3.3x3.3) |
 |
NTMD6P02R2 | P-CHANNEL MOSFET | 995 注文の詳細 |
 |
NTZD3155CT1G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | 964 注文の詳細 |
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MCH6662-TL-W | MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6 | 6730 注文の詳細 |
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2SK2631-TL-E-ON | POWER MOSFET | 16971 注文の詳細 |
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CSD85301Q2 | MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON | 9242 注文の詳細 |
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APTM50AM24SG | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | 899 注文の詳細 |
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DMN2019UTS-13 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 | 45766 注文の詳細 |
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FDG6321C | MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88 | 992 注文の詳細 |
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TSM300NB06DCR RLG | DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, | 5834 注文の詳細 |
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AO7800 | MOSFET 2N-CH 20V SC70-6 | 893 注文の詳細 |
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FDMC8030 | MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33 | 9957 注文の詳細 |
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CAB425M12XM3 | 1.2KV, 425A SWITCHING LOSS OPTIM | 986 注文の詳細 |
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CPH6635-TL-H | SMALL SIGNAL N AND P-CH MOSFET | 399757 注文の詳細 |
| 在庫あり | 15914 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.01000 | $2.01 |
| 2500 | $0.89932 | $2248.3 |
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