参考まで
部品番号 | SQ4284EY-T1_BE3 |
LIXINC Part # | SQ4284EY-T1_BE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SQ4284EY-T1_BE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SQ4284EY-T1_BE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Standard |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 8A (Tc) |
(最大) @ id、vgs の rds: | 13.5mOhm @ 7A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 45nC @ 10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2200pF @ 25V |
パワー - 最大: | 3.9W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SOIC |
FDC6401N | MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6 | 848 注文の詳細 |
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SI8900EDB-T2-E1 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP | 925 注文の詳細 |
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AON6906A | MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/10A 8DFN | 807 注文の詳細 |
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SMA5118 | MOSFET 6N-CH 500V 5A 12-SIP | 1028 注文の詳細 |
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TC6215TG-G | MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC | 5858 注文の詳細 |
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SQ4282EY-T1_GE3 | MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC | 2894 注文の詳細 |
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AUIRF7341QTR | MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC | 2868 注文の詳細 |
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DMP1046UFDB-7 | MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN | 19692 注文の詳細 |
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ALD210808PCL | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | 843 注文の詳細 |
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DMTH6010LPDQ-13 | MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI | 9601 注文の詳細 |
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PMDPB65UP,115 | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | 14045 注文の詳細 |
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VEC2315-TL-W | MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8 | 996 注文の詳細 |
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SH8K52GZETB | 100V NCH+NCH POWER MOSFET. SH8K5 | 2460 注文の詳細 |
在庫あり | 13286 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.44000 | $1.44 |
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