参考まで
| 部品番号 | PMDPB55XP,115 |
| LIXINC Part # | PMDPB55XP,115 |
| メーカー | Nexperia |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 説明 | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | PMDPB55XP,115 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | PMDPB55XP,115 |
| ブランド: | Nexperia |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| メーカー: | Nexperia |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
| フェチ機能: | Logic Level Gate |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.4A |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 70mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 900mV @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 25nC @ 5V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 785pF @ 10V |
| パワー - 最大: | 490mW |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 6-UDFN Exposed Pad |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-HUSON-EP (2x2) |
 |
FW274-TL-E | N-CHANNEL MOSFET | 15993 注文の詳細 |
 |
ZXMC3AM832TA | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP | 1442 注文の詳細 |
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PMV50ENEA,215 | 3.9A, 30V, N CHANNEL, SILICON, M | 9984 注文の詳細 |
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CSD75301W1015 | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | 2298 注文の詳細 |
 |
PMV280ENEA,215 | 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON, | 3964 注文の詳細 |
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SI7913DN-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8 | 3278 注文の詳細 |
 |
DMN61D8LVTQ-7 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | 8808 注文の詳細 |
 |
SI4210DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | 1216 注文の詳細 |
 |
IRF7331TRPBF | 7A, 20V, N CHANNEL, MOSFET | 846 注文の詳細 |
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SI5935CDC-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 | 3742 注文の詳細 |
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DMN2215UDM-7 | MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26 | 48056 注文の詳細 |
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PMDXB600UNEZ | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | 882 注文の詳細 |
 |
2SK2415-AZ | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET | 803 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10852 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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| 3000 | $0.12697 | $380.91 |
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