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部品番号 | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
LIXINC Part # | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FF8MR12W2M1B11BOMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | CoolSiC™+ |
パッケージ: | Tray |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Silicon Carbide (SiC) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 1200V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 150A (Tj) |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ) |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5.55V @ 60mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 372nC @ 15V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 11000pF @ 800V |
パワー - 最大: | 20mW (Tc) |
動作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Chassis Mount |
パッケージ・ケース: | Module |
サプライヤー デバイス パッケージ: | AG-EASY2BM-2 |
FDS6984S | N-CHANNEL POWER MOSFET | 116387 注文の詳細 |
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SSM6L61NU,LF | MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6 | 4161 注文の詳細 |
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SQJ952EP-T1_GE3 | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | 966 注文の詳細 |
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ALD1103PBL | MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP | 1605 注文の詳細 |
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SI1965DH-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 | 1309 注文の詳細 |
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ALD1101BPAL | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | 1000 注文の詳細 |
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FDPC5030SG | MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56 | 4042 注文の詳細 |
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UPA2751GR-E1-AT | POWER, N-CHANNEL MOSFET | 3358 注文の詳細 |
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BSS84AKV,115 | MOSFET 2P-CH 50V 170MA SOT666 | 19610 注文の詳細 |
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DMC1018UPD-13 | MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060 | 924 注文の詳細 |
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CSD83325LT | MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR | 1778 注文の詳細 |
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BUK7K13-60EX | MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D | 930 注文の詳細 |
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SSM6N35AFU,LF | MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6 | 3447 注文の詳細 |
在庫あり | 11022 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $248.29000 | $248.29 |
15 | $237.79472 | $3566.9208 |
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