FF8MR12W2M1B11BOMA1

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部品番号 FF8MR12W2M1B11BOMA1
LIXINC Part # FF8MR12W2M1B11BOMA1
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
説明 MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル FF8MR12W2M1B11BOMA1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FF8MR12W2M1B11BOMA1 仕様

部品番号:FF8MR12W2M1B11BOMA1
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:CoolSiC™+
パッケージ:Tray
部品の状態:Active
フェチタイプ:2 N-Channel (Dual)
フェチ機能:Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):1200V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:150A (Tj)
(最大) @ id、vgs の rds:7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
vgs(th) (最大) @ ID:5.55V @ 60mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:372nC @ 15V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:11000pF @ 800V
パワー - 最大:20mW (Tc)
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Chassis Mount
パッケージ・ケース:Module
サプライヤー デバイス パッケージ:AG-EASY2BM-2

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