参考まで
| 部品番号 | EMH2411R-TL-H |
| LIXINC Part # | EMH2411R-TL-H |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 説明 | POWER, N-CHANNEL, MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | EMH2411R-TL-H PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | EMH2411R-TL-H |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Obsolete |
| フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| フェチ機能: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5A |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 36.5mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 5.9nC @ 4.5V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| パワー - 最大: | 1.4W |
| 動作温度: | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-EMH |
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EPC2100 | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID | 1489 注文の詳細 |
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NTUD3128NT5G | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 4708 注文の詳細 |
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DMG6898LSDQ-13 | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO | 49603303 注文の詳細 |
 |
IRF7319PBF | P-CHANNEL POWER MOSFET | 933 注文の詳細 |
 |
ECH8653-TL-H | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 6865 注文の詳細 |
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | MOSFET N/P-CH 20V 5.1/3.2A TDSON | 923 注文の詳細 |
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SQ4282EY-T1_BE3 | MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC | 3290 注文の詳細 |
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SIZF906DT-T1-GE3 | MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR | 1634 注文の詳細 |
 |
DMN2016LHAB-7 | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN | 821 注文の詳細 |
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QS8J5TR | MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8 | 3776 注文の詳細 |
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SQJ951EP-T1_GE3 | MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK | 3887 注文の詳細 |
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CSD87384MT | MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB | 1343 注文の詳細 |
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DMC4029SSD-13 | MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO | 965 注文の詳細 |
| 在庫あり | 33354 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.23000 | $0.23 |
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