SSM6N815R,LF

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部品番号 SSM6N815R,LF
LIXINC Part # SSM6N815R,LF
メーカー Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
説明 MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル SSM6N815R,LF PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SSM6N815R,LF 仕様

部品番号:SSM6N815R,LF
ブランド:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
メーカー:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:U-MOSVIII-H
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:2 N-Channel (Dual)
フェチ機能:Logic Level Gate, 4V Drive
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):100V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:2A (Ta)
(最大) @ id、vgs の rds:103mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.5V @ 100µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:3.1nC @ 4.5V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:290pF @ 15V
パワー - 最大:1.8W (Ta)
動作温度:150°C
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:6-SMD, Flat Leads
サプライヤー デバイス パッケージ:6-TSOP-F

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