SQJ262EP-T1_GE3

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部品番号 SQJ262EP-T1_GE3
LIXINC Part # SQJ262EP-T1_GE3
メーカー Vishay / Siliconix
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
説明 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル SQJ262EP-T1_GE3 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SQJ262EP-T1_GE3 仕様

部品番号:SQJ262EP-T1_GE3
ブランド:Vishay / Siliconix
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
メーカー:Vishay / Siliconix
シリーズ:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:2 N-Channel (Dual)
フェチ機能:Standard
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:15A (Tc), 40A (Tc)
(最大) @ id、vgs の rds:35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:10nC @ 10V, 23nC @ 10V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
パワー - 最大:27W (Tc), 48W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤー デバイス パッケージ:PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

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