参考まで
部品番号 | EPC2101ENGRT |
LIXINC Part # | EPC2101ENGRT |
メーカー | EPC |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | EPC2101ENGRT PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | EPC2101ENGRT |
ブランド: | EPC |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | EPC |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Discontinued at Digi-Key |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
フェチ機能: | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9.5A, 38A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 11.5mOhm @ 20A, 5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 2mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 2.7nC @ 5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 300pF @ 30V |
パワー - 最大: | - |
動作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | Die |
サプライヤー デバイス パッケージ: | Die |
SI4972DY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC | 984 注文の詳細 |
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AON6908ALS_101 | MOSFET N-CH | 956 注文の詳細 |
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NVMFD5483NLT3G | MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN | 924 注文の詳細 |
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SP8M3FU7TB1 | MOSFET N/P-CH 30V 8SOP | 879 注文の詳細 |
|
SI6983DQ-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP | 977 注文の詳細 |
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IRF7325 | MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC | 886 注文の詳細 |
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STS3C2F100 | MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC | 945 注文の詳細 |
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SI4814BDY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | 816 注文の詳細 |
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FDW2520C | MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP | 893 注文の詳細 |
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TPC8211(TE12L,Q,M) | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8 | 933 注文の詳細 |
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NVMFD5485NLT3G | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8 | 847 注文の詳細 |
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SI7222DN-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8 | 841 注文の詳細 |
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AO4807L_102 | MOSFET 2P-CH 8-SOIC | 965 注文の詳細 |
在庫あり | 10996 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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