参考まで
| 部品番号 | IRF7756TR |
| LIXINC Part # | IRF7756TR |
| メーカー | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 説明 | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IRF7756TR PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IRF7756TR |
| ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ: | HEXFET® |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Obsolete |
| フェチタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
| フェチ機能: | Logic Level Gate |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 12V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 4.3A |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 40mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 900mV @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 18nC @ 4.5V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1400pF @ 10V |
| パワー - 最大: | 1W |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-TSSOP |
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SIA914ADJ-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L | 983 注文の詳細 |
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BSO203PHXUMA1 | MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO | 885 注文の詳細 |
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AUIRF7319QTR | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | 944 注文の詳細 |
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AON4605_001 | MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN | 852 注文の詳細 |
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AO8814#A | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP | 971 注文の詳細 |
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AON7932_101 | MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN | 872 注文の詳細 |
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AON2800 | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6DFN | 833 注文の詳細 |
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IRF7329PBF | MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC | 816 注文の詳細 |
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PHKD3NQ10T,518 | MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC | 957 注文の詳細 |
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RJM0306JSP-01#J0 | MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP | 842 注文の詳細 |
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2N7002DWA-7 | MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 | 856 注文の詳細 |
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FDG6332C-F085P | DUAL NP MOS SC70-6 20V | 997 注文の詳細 |
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SP8K22FU6TB | MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC | 848 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10828 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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| 2500 | $0.0000 | $0 |
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