FDMS3660S-F121

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部品番号 FDMS3660S-F121
LIXINC Part # FDMS3660S-F121
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
説明 MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル FDMS3660S-F121 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDMS3660S-F121 仕様

部品番号:FDMS3660S-F121
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:PowerTrench®
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
フェチ機能:Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:13A, 30A
(最大) @ id、vgs の rds:8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.7V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:29nC @ 10V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:1765pF @ 15V
パワー - 最大:1W
動作温度:-
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:8-PowerTDFN
サプライヤー デバイス パッケージ:Power56

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