参考まで
部品番号 | IRF5810 |
LIXINC Part # | IRF5810 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF5810 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF5810 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.9A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 90mOhm @ 2.9A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 9.6nC @ 4.5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 650pF @ 16V |
パワー - 最大: | 960mW |
動作温度: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-TSOP |
PMWD19UN,518 | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP | 981 注文の詳細 |
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SI7842DP-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 | 932 注文の詳細 |
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NTMFD4C85NT3G | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | 937 注文の詳細 |
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NTMFD4C20NT3G | MOSFET 2N-CH 30V SO8FL | 841 注文の詳細 |
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SP8J66TB1 | MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC | 933 注文の詳細 |
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SI4567DY-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC | 953 注文の詳細 |
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SIZ728DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR | 947 注文の詳細 |
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STS4DNF30L | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC | 976 注文の詳細 |
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SI3588DV-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP | 869 注文の詳細 |
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FDJ1032C | MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75 | 996 注文の詳細 |
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SIA511DJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | 937 注文の詳細 |
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IRF7750 | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP | 850 注文の詳細 |
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FMP26-02P | MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC | 879 注文の詳細 |
在庫あり | 10934 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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