参考まで
部品番号 | SI3909DV-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI3909DV-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI3909DV-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI3909DV-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 200mOhm @ 1.8A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 500mV @ 250µA (Min) |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 4nC @ 4.5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
パワー - 最大: | 1.15W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-TSOP |
AO4613 | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | 862 注文の詳細 |
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SP8J2FU6TB | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOIC | 944 注文の詳細 |
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SI4622DY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | 878 注文の詳細 |
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SI4565ADY-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC | 802 注文の詳細 |
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AO5600E | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6L | 840 注文の詳細 |
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SSM6L13TU(T5L,F,T) | MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6 | 939 注文の詳細 |
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IRF6723M2DTRPBF | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | 867 注文の詳細 |
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AON5820_101 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN | 849 注文の詳細 |
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STC5DNF30V | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP | 981 注文の詳細 |
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MP6M14TCR | MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6 | 857 注文の詳細 |
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SI5902DC-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 | 997 注文の詳細 |
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BSS8402DW-7 | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 | 973 注文の詳細 |
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SI4542DY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | 917 注文の詳細 |
在庫あり | 10921 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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